國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商發(fā)展迅速，卻難以撼動(dòng)三星、英特爾等海外企業(yè)的市場(chǎng)地位
“5G帶動(dòng)半導(dǎo)體需求增加，加上地緣政治和疫情驅(qū)動(dòng)恐慌性備貨，晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求的情況依然存在?！苯?，在TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2022存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上，集邦咨詢分析師喬安表示。
TrendForce集邦咨詢預(yù)估，在歷經(jīng)連續(xù)兩年的芯片荒后，晶圓代工廠宣布擴(kuò)建的產(chǎn)能將陸續(xù)在2022年釋放，且新增產(chǎn)能集中在40nm及28nm制程。不過(guò)，由于新增產(chǎn)能的產(chǎn)出時(shí)間點(diǎn)落在2022下半年，正值傳統(tǒng)旺季，在供應(yīng)鏈積極為年底節(jié)慶備貨的前提下，產(chǎn)能紓解的現(xiàn)象可能并不明顯。
今年以來(lái)，中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商發(fā)展迅速。中信證券在研報(bào)中稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)、中芯國(guó)際、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，驅(qū)動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)增速兩倍于全球市場(chǎng)。
盡管如此，在全球行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局上，眼下中國(guó)芯片廠商依然難以撼動(dòng)三星、英特爾等海外企業(yè)的市場(chǎng)地位。
中國(guó)廠商加速擴(kuò)產(chǎn)
存儲(chǔ)芯片應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，常見(jiàn)的電子設(shè)備基本都需使用存儲(chǔ)芯片，從存儲(chǔ)芯片細(xì)分產(chǎn)品來(lái)看，DRAM和NAND Flash占據(jù)了存儲(chǔ)芯片95%以上的市場(chǎng)份額。
中國(guó)是全球存儲(chǔ)芯片最大市場(chǎng)。據(jù)報(bào)道，中國(guó)一年3000億美元的芯片進(jìn)口額中，有超過(guò)800億美元為采購(gòu)內(nèi)存芯片，包括DRAM芯片和NAND Flash芯片。
在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)格局上，存儲(chǔ)芯片長(zhǎng)期被韓、日、美等國(guó)企業(yè)壟斷。其中在DRAM領(lǐng)域，三星、SK海力士及美光占據(jù)主導(dǎo)地位。
集邦咨詢報(bào)告顯示，2021年第三季度全球DRAM市占率方面，三星以44%位居第一；SK海力士在出貨減少的情況下略微縮減至27.2%，而美光小幅上升至22.9%，上述三大巨頭的市場(chǎng)占有率總計(jì)超過(guò)94%。
NAND Flash領(lǐng)域，三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士、英特爾為行業(yè)龍頭。據(jù)民生證券7月統(tǒng)計(jì)，中國(guó)是全球第二大NAND Flash市場(chǎng)，占比超過(guò)31%，但本土供應(yīng)市占率不足1%。
11月18日，時(shí)創(chuàng)意董事長(zhǎng)倪黃忠在接受媒體采訪時(shí)表示，中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)起步較晚，此前，在DRAM和NAND Flash領(lǐng)域均沒(méi)有國(guó)內(nèi)廠商，近年來(lái)，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為代表的國(guó)內(nèi)龍頭廠商開(kāi)始崛起。
“作為閃存行業(yè)的新人，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用三年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越?！遍L(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售高級(jí)副總裁龔翊表示，去年4月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功。
中信證券在研報(bào)中稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)3D NAND Flash存儲(chǔ)器頭部廠商，一期項(xiàng)目于2019年產(chǎn)能達(dá)到2萬(wàn)片/月，2020年擴(kuò)產(chǎn)至5萬(wàn)片/月以上水平，預(yù)計(jì)一期項(xiàng)目未來(lái)將達(dá)到10萬(wàn)片/月產(chǎn)能，另外二期土建已于2020年6月開(kāi)工，兩期產(chǎn)能規(guī)劃共30萬(wàn)片/月。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)作為國(guó)內(nèi)DRAM存儲(chǔ)器龍頭，三期總產(chǎn)能規(guī)劃37.5萬(wàn)片/月。中信證券預(yù)計(jì)，其產(chǎn)能將從2021年初4萬(wàn)片/月擴(kuò)張至2022-2023年12.5萬(wàn)片/月，同時(shí)，2022-2023年有望啟動(dòng)二期建設(shè)（12.5萬(wàn)片/月）。
國(guó)產(chǎn)芯片向高端進(jìn)階
對(duì)存儲(chǔ)廠商而言，跑得夠不夠快是一個(gè)需要持續(xù)思考的問(wèn)題。
以DRAM為例，由于DRAM的制程微縮已經(jīng)逐漸面臨物理極限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1αnm仍有近30%的單晶圓位元增長(zhǎng)外，其他從1Xnm轉(zhuǎn)至1Ynm、或者1Ynm轉(zhuǎn)至1Znm制程，增長(zhǎng)率已收縮至15%以內(nèi)。
華存電子技術(shù)總工程師魏智汎表示，近幾年，國(guó)內(nèi)外企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)主控芯片市場(chǎng)發(fā)展迅速，競(jìng)爭(zhēng)激烈，華存電子不僅要面對(duì)英特爾、三星、美光等閃存原廠，還要面對(duì)美滿電子、Microsemi等傳統(tǒng)主控大廠的競(jìng)爭(zhēng)。
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片必須從低端向高端進(jìn)階。東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊表示，作為本土芯片供應(yīng)商，東芯半導(dǎo)體目前40%以上的員工都是研發(fā)工程師，通過(guò)自主的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，以及與國(guó)內(nèi)晶圓廠和封裝測(cè)試廠的合作，已經(jīng)打造出一條本土供應(yīng)鏈體系。
在市場(chǎng)層面，5G、汽車電子、可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)及新興市場(chǎng)，給存儲(chǔ)芯片帶來(lái)旺盛需求，也對(duì)產(chǎn)品性能提出新要求，包括精進(jìn)工藝制程、提升產(chǎn)品可靠性、縮小封裝尺寸等，促使產(chǎn)品快速迭代。
這也對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈提出新要求。倪黃忠表示，1.0時(shí)代，模組廠商只能做一些簡(jiǎn)單的加工測(cè)試，開(kāi)發(fā)能力較弱，產(chǎn)品以Micro SD卡、U盤等為主；2.0時(shí)代，模組廠商成為產(chǎn)品和技術(shù)的跟隨者，在行業(yè)內(nèi)有一定知名度，但銷售依然難突破；步入3.0時(shí)代，模組廠商要從芯片硬件到軟件、固件的開(kāi)發(fā)，延展到系統(tǒng)級(jí)開(kāi)發(fā)以及整個(gè)設(shè)備自動(dòng)化產(chǎn)線進(jìn)行改造，有全面的技術(shù)開(kāi)發(fā)能力。
“雖然摩爾定律在半導(dǎo)體的很多領(lǐng)域受到了挑戰(zhàn)，但在閃存這個(gè)領(lǐng)域還在繼續(xù)發(fā)揮作用。”西部數(shù)據(jù)副總裁兼中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)總經(jīng)理劉鋼介紹，摩爾定律作用下，閃存密度和性能迅速提高，資本效率也大幅增加。
劉鋼分析，摩爾定律在閃存領(lǐng)域有三個(gè)維度可以發(fā)揮作用：一是線寬，在同一層中橫向提高密度；二是堆疊，在縱向上發(fā)展；三是在同一單元里通過(guò)改變邏輯單元的設(shè)定，從原來(lái)的SLC（Single-Level Cell，單層式存儲(chǔ)單元）到MLC（Multi-Level Cell，雙層式存儲(chǔ)單元）、TLC（Trinary-Level Cell，三層式存儲(chǔ)單元）、QLC（Quad-Level Cell，四層式存儲(chǔ)單元），在每個(gè)單元都可以增長(zhǎng)。
雖然，當(dāng)前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)主要由海外巨頭公司掌握，國(guó)產(chǎn)公司處于相對(duì)落后狀態(tài)，但國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片已在各個(gè)細(xì)分行業(yè)展開(kāi)追趕，并獲得顯著進(jìn)展?！氨就链鎯?chǔ)廠商正奮起直追，企業(yè)之間形成了密切且相互依存的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈，國(guó)產(chǎn)替代正當(dāng)時(shí)。”陳磊表示。
Q4起存儲(chǔ)芯片需求降低，價(jià)格變化大嗎？
近日，存儲(chǔ)器大廠美光科技表示，存儲(chǔ)芯片需求未來(lái)幾個(gè)月將會(huì)降低，NAND和DRAM存儲(chǔ)器芯片短期內(nèi)出貨會(huì)持續(xù)下滑。
理由是部分個(gè)人電腦客戶因?yàn)榉谴鎯?chǔ)器芯片的短缺，調(diào)整對(duì)存儲(chǔ)器及儲(chǔ)存裝置的采購(gòu)，導(dǎo)致本季度DRAM及NAND Flash位元出貨量降低，預(yù)期調(diào)整會(huì)在未來(lái)幾個(gè)月大致獲得解決。
稍早之前，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布的調(diào)查顯示，第三季生產(chǎn)旺季后，DRAM的供過(guò)于求比例于第四季開(kāi)始升高。除了供應(yīng)商庫(kù)存水位仍屬相對(duì)健康外，基本上各終端產(chǎn)品客戶手中的DRAM庫(kù)存已超過(guò)安全水位，此將削弱后續(xù)的備貨意愿。
因此，機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)第四季DRAM均價(jià)將開(kāi)始走跌，而部分庫(kù)存量過(guò)高的產(chǎn)品單季跌幅不排除會(huì)超過(guò)5%，整體DRAM均價(jià)跌幅為3~8%。
NAND Flash第四季度同樣面臨報(bào)價(jià)轉(zhuǎn)跌的情況，集邦咨詢表示，智能手機(jī)、Chromebook與電視等消費(fèi)性產(chǎn)品今年下半年出貨表現(xiàn)不如預(yù)期，零售端的存儲(chǔ)卡、U盤等產(chǎn)品需求持續(xù)低迷，僅數(shù)據(jù)中心及企業(yè)端客戶有較強(qiáng)的需求支撐。
整體而言，采購(gòu)端的庫(kù)存水位正逐漸上升，并壓抑后續(xù)的采購(gòu)力道，NAND Flash控制器IC缺貨的狀況亦隨需求下降逐步緩解，因此，第四季NAND Flash報(bào)價(jià)將開(kāi)始轉(zhuǎn)跌，整體合約價(jià)將小跌0~5%。
